Bourns CV201210 SMD-Mehrschicht-Induktivität, 10 μH 15mA Mit Ferrit-Kern, 201210 Gehäuse 2mm, Minimum Of 24MHz
About The 25mm, Abmessungen: 2 x 1.Bourns CV201210 SMD-Mehrschicht-Induktivität, 10 μH 15mA mit Ferrit-Kern, 201210 Gehäuse 2mm, Minimum of 24MHz, Tiefe: 1
Bourns CV201210 SMD-Mehrschicht-Induktivität, 10 μH 15mA mit Ferrit-Kern, 201210 Gehäuse 2mm, Minimum of 24MHz, Tiefe: 1.25mm, Abmessungen: 2 x 1.25 x 1.25mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 1.15Ω, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: CV201210-100K
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität
Bourns CV201210 SMD-Mehrschicht-Induktivität, 10 μH 15mA Mit Ferrit-Kern, 201210 Gehäuse 2mm, Minimum Of 24MHz
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Specifications of Bourns CV201210 SMD-Mehrschicht-Induktivität, 10 μH 15mA Mit Ferrit-Kern, 201210 Gehäuse 2mm, Minimum Of 24MHz | |
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