Onsemi PowerTrench FDMA510PZ P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 7,8 A 2,4 W, 6-Pin MicroFET 2 X 2
About The : 90 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.onsemi PowerTrench FDMA510PZ P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 7,8 A 2,4 W, 6-Pin MicroFET 2 x 2, Drain-Source-Widerstand max
onsemi PowerTrench FDMA510PZ P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 7,8 A 2,4 W, 6-Pin MicroFET 2 x 2, Drain-Source-Widerstand max.: 90 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi PowerTrench FDMA510PZ P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 7,8 A 2,4 W, 6-Pin MicroFET 2 X 2
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Specifications of Onsemi PowerTrench FDMA510PZ P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 7,8 A 2,4 W, 6-Pin MicroFET 2 X 2 | |
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