IXYS HiperFET, Polar3 IXFQ60N50P3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 60 A 1,04 kW, 3-Pin TO-3PN, Drain-Source-Widerstand max.: 100 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 15.8mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
IXYS HiperFET, Polar3 IXFQ60N50P3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 60 A 1,04 KW, 3-Pin TO-3PN
Specifications of IXYS HiperFET, Polar3 IXFQ60N50P3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 60 A 1,04 KW, 3-Pin TO-3PN | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |