Infineon IPB80N04S2H4ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 80 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
About The Infineon IPB80N04S2H4ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 80 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1
Infineon IPB80N04S2H4ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 80 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 3,7 mO, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon IPB80N04S2H4ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 80 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Specifications of Infineon IPB80N04S2H4ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 80 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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