Onsemi FDP8D5N10C N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 76 A 107 W, 3-Pin TO-220
About The : ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.: 8,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
onsemi FDP8D5N10C N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 76 A 107 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 8,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi FDP8D5N10C N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 76 A 107 W, 3-Pin TO-220
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Specifications of Onsemi FDP8D5N10C N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 76 A 107 W, 3-Pin TO-220 | |
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