Infineon OptiMOS™-T2 IPB120N06S4H1ATMA2 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 120 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
About The Infineon OptiMOS™-T2 IPB120N06S4H1ATMA2 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 120 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,002 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon OptiMOS™-T2 IPB120N06S4H1ATMA2 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 120 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,002 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS™-T2 IPB120N06S4H1ATMA2 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 120 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Specifications of Infineon OptiMOS™-T2 IPB120N06S4H1ATMA2 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 120 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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