Taiwan Semiconductor TSM650N15CS RLG N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 9 A 12,5 W, 8-Pin SOP
About The : 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 80 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Taiwan Semiconductor TSM650N15CS RLG N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 9 A 12,5 W, 8-Pin SOP, Drain-Source-Widerstand max.: 80 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Taiwan Semiconductor TSM650N15CS RLG N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 9 A 12,5 W, 8-Pin SOP
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Specifications of Taiwan Semiconductor TSM650N15CS RLG N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 9 A 12,5 W, 8-Pin SOP | |
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