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Infineon OptiMOS™ IPP80N06S209AKSA2 N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 80 A, 3-Pin TO-220

About The : 4V, Transistor-Werkstoff: Si.Infineon OptiMOS™ IPP80N06S209AKSA2 N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 80 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max

Infineon OptiMOS™ IPP80N06S209AKSA2 N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 80 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0091 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si

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Infineon OptiMOS™ IPP80N06S209AKSA2 N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 80 A, 3-Pin TO-220

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Specifications of Infineon OptiMOS™ IPP80N06S209AKSA2 N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 80 A, 3-Pin TO-220

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