Toshiba DTMOSIV TK8P60W5,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 8 A 80 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 560 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 6.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Toshiba DTMOSIV TK8P60W5,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 8 A 80 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Toshiba DTMOSIV TK8P60W5,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 8 A 80 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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