Infineon SIPMOS SPD08P06PGBTMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8,8 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The 3mm.: 300 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon SIPMOS SPD08P06PGBTMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8,8 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 300 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 2.3mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon SIPMOS SPD08P06PGBTMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8,8 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Infineon SIPMOS SPD08P06PGBTMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8,8 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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