Vishay TrenchFET® Gen IV SiR106ADP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 65,8 A, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,008 Ω, 0,009 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V
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Vishay TrenchFET® Gen IV SiR106ADP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 65,8 A, 8-Pin PowerPAK SO-8
Specifications of Vishay TrenchFET® Gen IV SiR106ADP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 65,8 A, 8-Pin PowerPAK SO-8 | |
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