Onsemi MJE5731AG THT, PNP Transistor -350 V / –3 A 2 MHz, TO-220 3-Pin
About The : 5 V dc, Abmessungen: 10.: 350 V dc, Basis-Emitter Spannung max
onsemi MJE5731AG THT, PNP Transistor -350 V / –3 A 2 MHz, TO-220 3-Pin, Verlustleistung max.: 40 W, Gleichstromverstärkung min.: 30, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 350 V dc, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V dc, Abmessungen: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren
Onsemi MJE5731AG THT, PNP Transistor -350 V / –3 A 2 MHz, TO-220 3-Pin
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Specifications of Onsemi MJE5731AG THT, PNP Transistor -350 V / –3 A 2 MHz, TO-220 3-Pin | |
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