Infineon HEXFET IRFH8201TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 324 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6
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Infineon HEXFET IRFH8201TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 324 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6, Drain-Source-Widerstand max.: 0,95 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 2.35V, Transistor-Werkstoff: Si
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRFH8201TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 324 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6
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Specifications of Infineon HEXFET IRFH8201TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 324 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6 | |
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