Vishay SIA462DJ-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 12 A 19 W, 6-Pin SOT-363
About The : 1.: -20 V, +20 V, Länge: 2
Vishay SIA462DJ-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 12 A 19 W, 6-Pin SOT-363, Drain-Source-Widerstand max.: 22 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2.15mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SIA462DJ-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 12 A 19 W, 6-Pin SOT-363
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Vishay SIA462DJ-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 12 A 19 W, 6-Pin SOT-363 | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
