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Infineon OptiMOS-5 IAUS165N08S5N029ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 165 A, 8-Pin PG HSOG-8 (TOLG)

About The 8V, Transistor-Werkstoff: Si.Infineon OptiMOS-5 IAUS165N08S5N029ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 165 A, 8-Pin PG HSOG-8 (TOLG), Drain-Source-Widerstand max

Infineon OptiMOS-5 IAUS165N08S5N029ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 165 A, 8-Pin PG HSOG-8 (TOLG), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0029 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.8V, Transistor-Werkstoff: Si

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Specifications of Infineon OptiMOS-5 IAUS165N08S5N029ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 165 A, 8-Pin PG HSOG-8 (TOLG)

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