Vishay SI7615ADN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
About The Vishay SI7615ADN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0
Vishay SI7615ADN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 9,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 3.4mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SI7615ADN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
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Specifications of Vishay SI7615ADN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 | |
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