STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 STP4N80K5 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 3 A 60 W, 3-Pin TO-220
About The : +150 °C.STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 STP4N80K5 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 3 A 60 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 STP4N80K5 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 3 A 60 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 2,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.4mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 STP4N80K5 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 3 A 60 W, 3-Pin TO-220
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Specifications of STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 STP4N80K5 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 3 A 60 W, 3-Pin TO-220 | |
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