Texas Instruments NexFET CSD19506KCS N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 273 A 375 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 2,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 16.51mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Texas Instruments NexFET CSD19506KCS N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 273 A 375 W, 3-Pin TO-220
Specifications of Texas Instruments NexFET CSD19506KCS N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 273 A 375 W, 3-Pin TO-220 | |
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