Infineon HEXFET IRFS4510TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 61 A 140 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
About The : 13,9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Source Spannung max
Infineon HEXFET IRFS4510TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 61 A 140 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 13,9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V, Höhe: 4.83mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRFS4510TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 61 A 140 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Specifications of Infineon HEXFET IRFS4510TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 61 A 140 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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