reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Infineon

Infineon SIPMOS BSS84PH6327XTSA2 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 170 MA 360 MW, 3-Pin SOT-23

About The : 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 12 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon SIPMOS BSS84PH6327XTSA2 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 170 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 12 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.24V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon SIPMOS BSS84PH6327XTSA2 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 170 MA 360 MW, 3-Pin SOT-23

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon SIPMOS BSS84PH6327XTSA2 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 170 MA 360 MW, 3-Pin SOT-23

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon SIPMOS BSS84PH6327XTSA2 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 170 MA 360 MW, 3-Pin SOT-23
More Varieties

Rating :- 9.51 /10
Votes :- 7