Toshiba TK TK40E10N1,S1X(S N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 90 A 126 W, 3-Pin TO-220
About The 1mm, Länge: 10.16mm
Toshiba TK TK40E10N1,S1X(S N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 90 A 126 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 8,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 15.1mm, Länge: 10.16mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba TK TK40E10N1,S1X(S N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 90 A 126 W, 3-Pin TO-220
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Specifications of Toshiba TK TK40E10N1,S1X(S N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 90 A 126 W, 3-Pin TO-220 | |
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