Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 95 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6
About The 8V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: BSC052N08NS5ATMA1.: 3
Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 95 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0052 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.8V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: BSC052N08NS5ATMA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 95 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6
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Specifications of Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 95 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6 | |
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