Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 40 A, 8-Pin PQFN 3 X 3
About The 3V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: BSZ146N10LS5ATMA1.Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 40 A, 8-Pin PQFN 3 x 3, Drain-Source-Widerstand max
Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 40 A, 8-Pin PQFN 3 x 3, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0146 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: BSZ146N10LS5ATMA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 40 A, 8-Pin PQFN 3 X 3
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Specifications of Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 40 A, 8-Pin PQFN 3 X 3 | |
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