Infineon OptiMOS T2 IPB80N06S4L05ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A 107 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
About The : 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
Infineon OptiMOS T2 IPB80N06S4L05ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A 107 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 8,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS T2 IPB80N06S4L05ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A 107 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Specifications of Infineon OptiMOS T2 IPB80N06S4L05ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A 107 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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