reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Infineon

Infineon OptiMOS 3 IPB034N06L3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 90 A 167 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 2

Infineon OptiMOS 3 IPB034N06L3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 90 A 167 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 3,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon OptiMOS 3 IPB034N06L3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 90 A 167 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon OptiMOS 3 IPB034N06L3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 90 A 167 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon OptiMOS 3 IPB034N06L3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 90 A 167 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
More Varieties

Rating :- 9.45 /10
Votes :- 10