Infineon OptiMOS 3 IPB034N06L3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 90 A 167 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 3,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V
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Infineon OptiMOS 3 IPB034N06L3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 90 A 167 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Infineon OptiMOS 3 IPB034N06L3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 90 A 167 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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