Onsemi PowerTrench FDMA905P P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 10 A 2,4 W, 6-Pin MicroFET 2 X 2
About The 2V, Höhe: 0.: 0
onsemi PowerTrench FDMA905P P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 10 A 2,4 W, 6-Pin MicroFET 2 x 2, Gehäusegröße: MLP, Drain-Source-Widerstand max.: 82 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 0.725mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi PowerTrench FDMA905P P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 10 A 2,4 W, 6-Pin MicroFET 2 X 2
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Specifications of Onsemi PowerTrench FDMA905P P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 10 A 2,4 W, 6-Pin MicroFET 2 X 2 | |
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