Infineon SIPMOS BSP170PH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1,9 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223, Pinanzahl: 3 + Tab, Drain-Source-Widerstand max.: 300 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.6mm
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Infineon SIPMOS BSP170PH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1,9 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223
Specifications of Infineon SIPMOS BSP170PH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1,9 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223 | |
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