Infineon 500V CoolMOS CE IPD50R2K0CEAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 2,2 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The .: 2 Ω, Gate-Schwellenspannung max
Infineon 500V CoolMOS CE IPD50R2K0CEAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 2,2 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 2 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon 500V CoolMOS CE IPD50R2K0CEAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 2,2 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Infineon 500V CoolMOS CE IPD50R2K0CEAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 2,2 A, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
