Vishay SI1032R-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 200 mA 280 mW, 3-Pin SC-75, Drain-Source-Widerstand max.: 9 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -6 V, +6 V, Länge: 1.68mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Vishay SI1032R-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 200 MA 280 MW, 3-Pin SC-75
Specifications of Vishay SI1032R-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 200 MA 280 MW, 3-Pin SC-75 | |
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