STMicroelectronics MDmesh M5 STD16N65M5 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 12 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 279 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Höhe: 2.4mm
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STMicroelectronics MDmesh M5 STD16N65M5 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 12 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of STMicroelectronics MDmesh M5 STD16N65M5 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 12 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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