Vishay SI4946BEY-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6,5 A 3,7 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 52 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Vishay SI4946BEY-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6,5 A 3,7 W, 8-Pin SOIC
Specifications of Vishay SI4946BEY-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6,5 A 3,7 W, 8-Pin SOIC | |
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