Onsemi FCMT180N65S3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 17 A 139 W, 4-Pin Power88
About The : 2.5V, Gate-Schwellenspannung min
onsemi FCMT180N65S3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 17 A 139 W, 4-Pin Power88, Drain-Source-Widerstand max.: 180 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi FCMT180N65S3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 17 A 139 W, 4-Pin Power88
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Specifications of Onsemi FCMT180N65S3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 17 A 139 W, 4-Pin Power88 | |
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