onsemi NXH006P120MNF2PTG N-Kanal, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V / 304 A, 36-Pin F2, Drain-Source-Widerstand max.: 0,006 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4.3V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi NXH006P120MNF2PTG N-Kanal, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V / 304 A, 36-Pin F2
Specifications of Onsemi NXH006P120MNF2PTG N-Kanal, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V / 304 A, 36-Pin F2 | |
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