Onsemi NTTFS6H850NTAG N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 68 A 107 W, 8-Pin WDFN
About The : ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.: 9,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
onsemi NTTFS6H850NTAG N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 68 A 107 W, 8-Pin WDFN, Drain-Source-Widerstand max.: 9,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi NTTFS6H850NTAG N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 68 A 107 W, 8-Pin WDFN
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Specifications of Onsemi NTTFS6H850NTAG N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 68 A 107 W, 8-Pin WDFN | |
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