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Vishay SIR158DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 60 A 83 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

About The Vishay SIR158DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 60 A 83 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 1

Vishay SIR158DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 60 A 83 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 2,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.25mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Specifications of Vishay SIR158DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 60 A 83 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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