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Infineon OptiMOS IPT030N12N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 237 A, 8-Pin HSOF-8

About The : 4V.: 0,003 Ω, Gate-Schwellenspannung max

Infineon OptiMOS IPT030N12N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 237 A, 8-Pin HSOF-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,003 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4V

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Infineon OptiMOS IPT030N12N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 237 A, 8-Pin HSOF-8

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Specifications of Infineon OptiMOS IPT030N12N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 237 A, 8-Pin HSOF-8

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Infineon OptiMOS IPT030N12N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 237 A, 8-Pin HSOF-8
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