Infineon OptiMOS IPT030N12N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 237 A, 8-Pin HSOF-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,003 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4V
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Infineon OptiMOS IPT030N12N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 237 A, 8-Pin HSOF-8
Specifications of Infineon OptiMOS IPT030N12N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 237 A, 8-Pin HSOF-8 | |
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