Vishay IRFBG30PBF N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 3,1 A 125 W, 3-Pin TO-220AB
About The : +150 °C.: -20 V, +20 V, Länge: 10
Vishay IRFBG30PBF N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 3,1 A 125 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.41mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay IRFBG30PBF N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 3,1 A 125 W, 3-Pin TO-220AB
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Vishay IRFBG30PBF N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 3,1 A 125 W, 3-Pin TO-220AB | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
