ROHM RQ6C065BC RQ6C065BCTCR P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,5 A 1,25 W, 6-Pin TSMT-6
About The ROHM RQ6C065BC RQ6C065BCTCR P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,5 A 1,25 W, 6-Pin TSMT-6, Drain-Source-Widerstand max.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
ROHM RQ6C065BC RQ6C065BCTCR P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,5 A 1,25 W, 6-Pin TSMT-6, Drain-Source-Widerstand max.: 50 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
ROHM RQ6C065BC RQ6C065BCTCR P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,5 A 1,25 W, 6-Pin TSMT-6
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Specifications of ROHM RQ6C065BC RQ6C065BCTCR P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,5 A 1,25 W, 6-Pin TSMT-6 | |
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