Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 3,3 μH 1A, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±20%, 30MHz
About The : +125°C, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur min.: -40°C, Geschirmt: Nein, MPN: 74479775233
Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 3,3 μH 1A, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±20%, 30MHz, Gleichstromwiderstand max.: 200mΩ, Abmessungen: 2 x 1.2 x 1mm, Tiefe: 1.2mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur min.: -40°C, Geschirmt: Nein, MPN: 74479775233
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität
Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 3,3 μH 1A, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±20%, 30MHz
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Specifications of Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 3,3 μH 1A, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±20%, 30MHz | |
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