Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 128k, 8bit / Wort

Name: Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 128k, 8bit / Wort & Infineon
Brand: Infineon
SKU: CAWX-7249
Price: 136.91 EUR
Availability: InStock

About The Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 128k, 8bit / Wort, MPN: CY7C109D-10VXIT

Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 128k, 8bit / Wort, MPN: CY7C109D-10VXIT

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Speicherbausteine > SRAM

TE Connectivity R Metallschicht Widerstand 402kΩ ±0.1% / 0.25W

Carling Technologies Schalter 2-polig

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Speicherbausteine > SRAM

Specifications of Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 128k, 8bit / Wort
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Last Updated December 13th, 2023 02:38 am

Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 128k, 8bit / Wort

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TE Connectivity T9A Monostabiles Relais, Printrelais 1-poliger Schließer 30A 48V dc Spule

51mm, MPN: T9AS1D12-48=T9A.

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TE Connectivity

RS PRO O-Ring FKM, Innen-Ø 78mm / Außen-Ø 83mm, Stärke 2.5mm

): +200°C.

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RS PRO

Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 6.19kΩ ±1% / 0.063W ±100ppm/K, 0402 (1005M) Gehäuse

19kΩ ±1% / 0.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRCW04026K19FKED.063W ±100ppm/K, 0402 (1005M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 3.16kΩ ±1% / 0.063W ±100ppm/K, 0402 (1005M) Gehäuse

: -55°C, Betriebstemperatur max.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 3.16kΩ ±1% / 0.063W ±100ppm/K, 0402 (1005M) Gehäuse

: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRCW04023K16FKED.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 128k, 8bit / Wort

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TE Connectivity T9A Monostabiles Relais, Printrelais 1-poliger Schließer 30A 48V dc Spule

RS PRO O-Ring FKM, Innen-Ø 78mm / Außen-Ø 83mm, Stärke 2.5mm

Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 6.19kΩ ±1% / 0.063W ±100ppm/K, 0402 (1005M) Gehäuse

Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 3.16kΩ ±1% / 0.063W ±100ppm/K, 0402 (1005M) Gehäuse

Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 3.16kΩ ±1% / 0.063W ±100ppm/K, 0402 (1005M) Gehäuse