Vishay SiRA84BDP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 70 A 36 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 7,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.1V
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Vishay SiRA84BDP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 70 A 36 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
Specifications of Vishay SiRA84BDP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 70 A 36 W, 8-Pin PowerPAK SO-8 | |
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