Vishay SI4848DY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 2,7 A 3 W, 8-Pin SOIC
About The : ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.Vishay SI4848DY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 2,7 A 3 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max
Vishay SI4848DY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 2,7 A 3 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 95 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 1.55mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SI4848DY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 2,7 A 3 W, 8-Pin SOIC
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Specifications of Vishay SI4848DY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 2,7 A 3 W, 8-Pin SOIC | |
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