Vishay SiHB068N60EF SIHB068N60EF-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 41 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Name: Vishay SiHB068N60EF SIHB068N60EF-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 41 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) - Vishay
Brand: Vishay
SKU: CAWX-731400
Price: 13867.20 EUR
Availability: InStock

About The .: 0,068 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Vishay SiHB068N60EF SIHB068N60EF-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 41 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,068 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

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Specifications of Vishay SiHB068N60EF SIHB068N60EF-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 41 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Last Updated December 27th, 2023 12:24 pm

Vishay SiHB068N60EF SIHB068N60EF-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 41 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Halbleiter

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RS PRO Sechskantmuttern, M6 Stahl 10mm Glanzverzinkt DIN 934, Metrisch oder zöllig: metrisch, Typ: Voll.

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Fluro 145mm Stahl verzinkt Gelenkkopf, Wellen-Ø 30mm, Innengewinde M30 Buchse, Traglast bis 64kN

): +250°C, Betriebstemperatur (min.): -50°C, MPN: GIXS30.Fluro 145mm Stahl verzinkt Gelenkkopf, Wellen-Ø 30mm, Innengewinde M30 Buchse, Traglast bis 64kN, Statische Traglast: 184kN, Anschluss - Gewindestandard: Metrisch, Betriebstemperatur (max.

Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge

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Fluro

Taiyo Yuden, M, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X5R, 10μF ±20% / 16V dc, Gehäuse 1206 (3216M), AEC-Q200

2 x 1.: +85°C, Betriebstemperatur min.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

Passive Bauelemente

Kondensatoren

Keramik Vielschichtkondensatoren

Taiyo Yuden

Vishay SiHP068N60EF SIHP068N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 41 A, 3-Pin TO-220AB

Vishay SiHP068N60EF SIHP068N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 41 A, 3-Pin TO-220AB.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

Vishay SiHP068N60EF SIHP068N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 41 A, 3-Pin TO-220AB

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Vishay SiHB068N60EF SIHB068N60EF-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 41 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The .: 0,068 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

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Taiyo Yuden, M, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X5R, 10μF ±20% / 16V dc, Gehäuse 1206 (3216M), AEC-Q200

Vishay SiHP068N60EF SIHP068N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 41 A, 3-Pin TO-220AB

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