Infineon OptiMOS 3 IPD031N06L3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 167 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The : 2.73mm, Betriebstemperatur max
Infineon OptiMOS 3 IPD031N06L3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 167 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 5,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS 3 IPD031N06L3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 167 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Infineon OptiMOS 3 IPD031N06L3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 167 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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