Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 512k, 8bit / Wort, 3 V Bis 3,6 V, TSOP-44 44-Pin
About The Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 512k, 8bit / Wort, 3 V bis 3,6 V, TSOP-44 44-Pin, Organisation: 512 k x 8 Bit, Zugriffszeit max.41mm, Betriebstemperatur max
Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 512k, 8bit / Wort, 3 V bis 3,6 V, TSOP-44 44-Pin, Organisation: 512 k x 8 Bit, Zugriffszeit max.: 10ns, Low Power: Ja, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 18.41 x 10.16 x 1mm, Länge: 18.41mm, Betriebstemperatur max.: +85 °C, MPN: 71V424S12PHGI
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Speicherbausteine > SRAM
Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 512k, 8bit / Wort, 3 V Bis 3,6 V, TSOP-44 44-Pin
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Specifications of Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 512k, 8bit / Wort, 3 V Bis 3,6 V, TSOP-44 44-Pin | |
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