Infineon OptiMOS 3 BSC160N10NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 42 A 60 W, 8-Pin TDSON
About The : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5
Infineon OptiMOS 3 BSC160N10NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 42 A 60 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 33 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5.35mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS 3 BSC160N10NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 42 A 60 W, 8-Pin TDSON
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Specifications of Infineon OptiMOS 3 BSC160N10NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 42 A 60 W, 8-Pin TDSON | |
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