Vishay ThunderFET SIA416DJ-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 11,3 A 19 W, 6-Pin PowerPAK SC-70
About The : 130 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.15mm, Betriebstemperatur max
Vishay ThunderFET SIA416DJ-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 11,3 A 19 W, 6-Pin PowerPAK SC-70, Drain-Source-Widerstand max.: 130 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2.15mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay ThunderFET SIA416DJ-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 11,3 A 19 W, 6-Pin PowerPAK SC-70
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Specifications of Vishay ThunderFET SIA416DJ-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 11,3 A 19 W, 6-Pin PowerPAK SC-70 | |
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