Vishay SI3457CDV-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,1 A 3 W, 6-Pin TSOP-6, Drain-Source-Widerstand max.: 20 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: -3V, Gate-Schwellenspannung min.: -1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 3.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Vishay SI3457CDV-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,1 A 3 W, 6-Pin TSOP-6
Specifications of Vishay SI3457CDV-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,1 A 3 W, 6-Pin TSOP-6 | |
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