Vishay IRFI630GPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 5,9 A 35 W, 3-Pin TO-220FP
About The 8mm, Betriebstemperatur max.: 400 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min
Vishay IRFI630GPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 5,9 A 35 W, 3-Pin TO-220FP, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 400 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 9.8mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay IRFI630GPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 5,9 A 35 W, 3-Pin TO-220FP
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Specifications of Vishay IRFI630GPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 5,9 A 35 W, 3-Pin TO-220FP | |
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