STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STU2NK100Z N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 1,85 A 70 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
About The : -30 V, +30 V, Länge: 6.: 8,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STU2NK100Z N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 1,85 A 70 W, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 8,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 6.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STU2NK100Z N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 1,85 A 70 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
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Specifications of STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STU2NK100Z N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 1,85 A 70 W, 3-Pin IPAK (TO-251) | |
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